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FQPF8N80CYDTU

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-220-3 全封裝,成形引線
數量:
 3285  
說明:
 MOSFET HIGH_VOLTAGE
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FQPF8N80CYDTU-TO-220-3 全封裝,成形引線圖片

FQPF8N80CYDTU PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:65 ns
工廠包裝數量:50
上升時間:110 ns
功率耗散:59 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:70 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220F
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):1.55 Ohms
漏極連續電流:8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:800 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQPF8N80CYDTU的詳細信息,包括FQPF8N80CYDTU廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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