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FQP18N20V2

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-220-3
數量:
 585  
說明:
 MOSFET 200V N-Ch adv QFET V2 Series
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FQP18N20V2-TO-220-3圖片

FQP18N20V2 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:38 ns
工廠包裝數量:50
上升時間:133 ns
功率耗散:123 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :11 S
下降時間:62 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220AB
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.14 Ohms
漏極連續電流:18 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:200 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQP18N20V2的詳細信息,包括FQP18N20V2廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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