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FQP18N50V2_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220AB
數量：: 2835
說明：: MOSFET 500V N-Ch QFET V2 Series

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FQP18N50V2_Q PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：95 ns
上升時間：150 ns
功率耗散：208 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：16 S
下降時間：110 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.265 Ohms
漏極連續電流：18 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：500 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQP18N50V2_Q的詳細信息，包括FQP18N50V2_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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