FQD6N60CTM

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
數(shù)量：: 8190
說明：: MOSFET N-CH/600V/6A/ QFET C-Series

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FQD6N60CTM-TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63圖片

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：45 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時間：45 ns
功率耗散：80 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：4.8 S
下降時間：45 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1.2 Ohms
漏極連續(xù)電流：4.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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