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FQD6N60CTM_WS

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-252
數(shù)量:
 1827  
說(shuō)明:
 MOSFET 600V N-Ch MOSFET QFET
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FQD6N60CTM_WS PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:45 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
上升時(shí)間:45 ns
功率耗散:80 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:45 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-252
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):2 Ohms
漏極連續(xù)電流:4 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FQD6N60CTM_WS的詳細(xì)信息,包括FQD6N60CTM_WS廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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