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FQA8N100C

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-3P-3，SC-65-3
數量：: 4761
說明：: MOSFET 1000V N-Channe MOSFET

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FQA8N100C PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：122 ns
工廠包裝數量：30
上升時間：95 ns
功率耗散：225 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：8 S
下降時間：80 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-3PN
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1.45 Ohms
漏極連續電流：8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：1000 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQA8N100C的詳細信息，包括FQA8N100C廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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