色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > FQA8N80_F109

FQA8N80_F109

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-3P
數量：: 1773
說明：: MOSFET 800V N-Channel

一、本商品被瀏覽0次.

FQA8N80_F109 PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：100 ns
工廠包裝數量：30
上升時間：110 ns
功率耗散：220 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：80 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-3P
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1.2 Ohms
漏極連續電流：8.4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：800 V
晶體管極性：N-Channel
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FQA8N80_F109的詳細信息，包括FQA8N80_F109廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：