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FDV302P_NB8V001

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SOT-23-3
數量：: 14998
說明：: MOSFET Digital FET P-Ch

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FDV302P_NB8V001 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：9 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：8 ns
功率耗散：350 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-23-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：10000 mOhms at 4.5 V
漏極連續電流：0.12 A
閘/源擊穿電壓：8 V
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDV302P_NB8V001的詳細信息，包括FDV302P_NB8V001廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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