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FDV302P_NB8V001

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SOT-23-3
數(shù)量：: 14998
說明：: MOSFET Digital FET P-Ch

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FDV302P_NB8V001 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：9 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時(shí)間：8 ns
功率耗散：350 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-23-3
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：10000 mOhms at 4.5 V
漏極連續(xù)電流：0.12 A
閘/源擊穿電壓：8 V
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDV302P_NB8V001的詳細(xì)信息，包括FDV302P_NB8V001廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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