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FDV302P_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SOT-23
數(shù)量：: 7956
說明：: MOSFET Digital FET P-Ch

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FDV302P_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：9 ns
上升時間：8 ns
功率耗散：0.35 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：0.135 S
下降時間：8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-23
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：13 Ohms
漏極連續(xù)電流：- 0.12 A
閘/源擊穿電壓：- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：- 25 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDV302P_Q的詳細(xì)信息，包括FDV302P_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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