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FDP61N20

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220-3
數(shù)量：: 4500
說(shuō)明：: MOSFET 200V N-Channel MOSFET

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FDP61N20 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：125 ns
工廠包裝數(shù)量：400
上升時(shí)間：215 ns
功率耗散：417 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：44.5 S
下降時(shí)間：170 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.041 Ohms
漏極連續(xù)電流：61 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDP61N20的詳細(xì)信息，包括FDP61N20廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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