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FDP6670AL_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-220AB
數(shù)量:
 6795  
說明:
 MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
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FDP6670AL_Q-TO-220AB圖片

FDP6670AL_Q PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:42 ns
上升時間:12 ns
功率耗散:68 W
最小工作溫度:- 65 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :115 S
下降時間:15 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220AB
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):6.5 m Ohms
漏極連續(xù)電流:80 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDP6670AL_Q的詳細信息,包括FDP6670AL_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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