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FDFMA2P857

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: 6-VDFN 裸露焊盤(pán)
數(shù)量：: 8127
說(shuō)明：: MOSFET 20V P-Ch Shtky Diode PowerTrench MOSFET

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FDFMA2P857 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：15 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時(shí)間：11 ns
功率耗散：1.4 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：7 S
下降時(shí)間：11 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：MicroFET 2 x 2
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：120 m Ohms
漏極連續(xù)電流：- 3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDFMA2P857的詳細(xì)信息，包括FDFMA2P857廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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