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FDFME2P823ZT

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: 6-UFDFN 裸露焊盤
數(shù)量：: 1206
說明：: MOSFET -20V Integrated P-Ch PwrTrnch w/Sch Diode

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FDFME2P823ZT PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：33 ns
工廠包裝數(shù)量：5000
上升時(shí)間：4.8 ns
功率耗散：1.3 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：5.5 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：7 S
下降時(shí)間：16 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：MicroFET 1.6 x 1.6 Thin
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：95 mOhms
漏極連續(xù)電流：- 2.3 A
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是FDFME2P823ZT的詳細(xì)信息，包括FDFME2P823ZT廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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