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FDB16AN08A0

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數(shù)量:
 3705  
說明:
 MOSFET Discrete Auto N-Ch UltraFET Trench
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FDB16AN08A0-TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB圖片

FDB16AN08A0 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:28 ns
工廠包裝數(shù)量:800
上升時(shí)間:82 ns
功率耗散:135 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:30 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.013 Ohms at 10 V
漏極連續(xù)電流:58 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:75 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDB16AN08A0的詳細(xì)信息,包括FDB16AN08A0廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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