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FDB20AN06A0_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-263AB
數(shù)量:
 3861  
說明:
 MOSFET N-Channel PT 6V 45A 2 mOhm
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FDB20AN06A0_Q-TO-263AB圖片

FDB20AN06A0_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:23 ns
上升時(shí)間:98 ns
功率耗散:90 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:33 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263AB
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.017 Ohms at 10 V
漏極連續(xù)電流:45 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDB20AN06A0_Q的詳細(xì)信息,包括FDB20AN06A0_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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