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DMG6402LDM-7

廠家：: Diodes Inc.
封裝：: SOT-23-6
數(shù)量：: 12510
說明：: MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-26

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DMG6402LDM-7 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：13.92 nS
上升時間：6.18 nS
功率耗散：1.12 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：9.2 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：10 S
下降時間：2.84 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-26-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：32 mOhms
漏極連續(xù)電流：5.3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

以上是DMG6402LDM-7的詳細信息，包括DMG6402LDM-7廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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