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DMG6601LVT-7

廠家：: Diodes Inc.
封裝：: TSOT-26
數(shù)量：: 5445
說明：: MOSFET 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET

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DMG6601LVT-7 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：31.2 ns, 18.3 ns
上升時間：4.6 ns, 7.4 ns
功率耗散：0.85 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：5.4 nC, 6.5 nC
下降時間：15.6 ns, 2.2 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSOT-26
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：55 mOhms, 110 mOhms
漏極連續(xù)電流：3.8 A, - 2.5 A
汲極/源極擊穿電壓：30 V, - 30 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
制造商：Diodes Inc.

以上是DMG6601LVT-7的詳細(xì)信息，包括DMG6601LVT-7廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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