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CSD13306WT

廠家:
  Texas Instruments
封裝:
 6-DSBGA(1x1.5)
數(shù)量:
 4905  
說(shuō)明:
 MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
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CSD13306WT PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):1.9W(Ta)
FET 功能:-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1370 pF @ 6 V
Vgs(最大值):±10V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):11.2 nC @ 4.5 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):10.2m? @ 1.5A,4.5V
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):3.5A(Ta)
漏源電壓(Vdss):12 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類(lèi)型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:NexFET?
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Texas Instruments

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