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CSD13306WT

廠家：: Texas Instruments
封裝：: 6-DSBGA（1x1.5）
數量：: 4905
說明：: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA

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CSD13306WT PDF參數資料

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中文參數如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：1.9W（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1370 pF @ 6 V
Vgs（最大值）：±10V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：11.2 nC @ 4.5 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：10.2m? @ 1.5A，4.5V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：3.5A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：12 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：NexFET?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Texas Instruments

以上是CSD13306WT的詳細信息，包括CSD13306WT廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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