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CSD16323Q3

廠家：: Texas Instruments
封裝：: 8-PowerTDFN
數(shù)量：: 5121
說(shuō)明：: MOSFET N-Ch NexFET Pwr MOSFET

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CSD16323Q3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：13 ns
商標(biāo)名：NexFET
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時(shí)間：15 ns
功率耗散：3 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：6.3 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SON-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0045 Ohms
漏極連續(xù)電流：21 A
閘/源擊穿電壓：- 8 V, + 10 V
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：Texas Instruments

以上是CSD16323Q3的詳細(xì)信息，包括CSD16323Q3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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