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中文參數(shù)如下:
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封裝封裝/外殼:8-PowerVDFN
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率 - 最大值:700mW(Ta),860mW(Ta)
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):340pF @ 15V,730pF @ 15V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):3nC @ 4.5V,6.4nC @ 4.5V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):18 毫歐 @ 9A,10V,9 毫歐 @ 9A,10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):4.8A(Ta),7.6A(Ta)
漏源電壓(Vdss):30V
FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅(qū)動(dòng)
配置:2 N-通道(雙)
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
產(chǎn)品狀態(tài):停產(chǎn)
包裝:OptiMOS?
系列:卷帶(TR)
品牌:Infineon Technologies
以上是BSZ0908NDXTMA2的詳細(xì)信息,包括BSZ0908NDXTMA2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!