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BSZ076N06NS3 G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TDSON-8
數量:
 4823  
說明:
 MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH
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BSZ076N06NS3 G-TDSON-8圖片

BSZ076N06NS3 G PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:BSZ076N06NS3GATMA1 BSZ076N06NS3GXT SP000454420
典型關閉延遲時間:20 ns
工廠包裝數量:5000
上升時間:40 ns
功率耗散:69 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:37 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :39 S, 20 S
下降時間:5 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TDSON-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):7.6 mOhms
漏極連續電流:20 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是BSZ076N06NS3 G的詳細信息,包括BSZ076N06NS3 G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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