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BSO080P03NS3E G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-DSO-8
數(shù)量：: 9437
說(shuō)明：: MOSFET P-KANAL

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BSO080P03NS3E G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：BSO080P03NS3EGXT BSO080P03NS3EGXUMA1 SP000472992
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：64 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時(shí)間：47 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：- 61 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：44 S
下降時(shí)間：19 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PG-DSO-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：8 mOhms
漏極連續(xù)電流：- 14.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSO080P03NS3E G的詳細(xì)信息，包括BSO080P03NS3E G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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