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BSO094N03S

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-DSO-8
數(shù)量：: 5886
說明：: MOSFET

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BSO094N03S PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：22 ns
上升時(shí)間：4.4 ns
功率耗散：1560 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：4.4 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：DSO
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：9.1 mOhms
漏極連續(xù)電流：10 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是BSO094N03S的詳細(xì)信息，包括BSO094N03S廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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