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BSC110N06NS3 G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TDSON
數量:
 18794  
說明:
 MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH
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BSC110N06NS3 G PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GXT SP000453668
典型關閉延遲時間:14 ns
工廠包裝數量:5000
功率耗散:2500 mW
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:TDSON
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):11 mOhms
漏極連續電流:50 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是BSC110N06NS3 G的詳細信息,包括BSC110N06NS3 G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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