色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > BSC084P03NS3 G

BSC084P03NS3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TDSON-8
數(shù)量：: 11020
說明：: MOSFET P-KANAL

一、本商品被瀏覽0次.

BSC084P03NS3 G PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：BSC084P03NS3GATMA1 BSC084P03NS3GXT SP000473020
工廠包裝數(shù)量：5000
功率耗散：69 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：PG-TDSON-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：8.4 mOhms
漏極連續(xù)電流：- 78.6 A
閘/源擊穿電壓：- 2.5 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSC084P03NS3 G的詳細(xì)信息，包括BSC084P03NS3 G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：