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BSC085N025SG

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TDSON
數(shù)量：: 3924
說明：: MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH

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BSC085N025SG PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：18 ns
上升時間：4 ns
功率耗散：2.8 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：3 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TDSON
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：13.1 Ohms
漏極連續(xù)電流：35 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSC085N025SG的詳細信息，包括BSC085N025SG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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