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BG 3123R E6327

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 SOT-363
數量：
 7038  
說明：
 射頻MOSFET小信號晶體管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
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BG 3123R E6327 PDF參數資料

中文參數如下：

零件號別名：BG3123RE6327XT
工廠包裝數量：12000
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-363
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：200 mW
漏極連續電流：0.025 A
閘/源擊穿電壓：6 V
汲極/源極擊穿電壓：8 V
晶體管極性：N-Channel
配置：Dual
RoHS：是
產品種類：射頻MOSFET小信號晶體管
制造商：Infineon

以上是BG 3123R E6327的詳細信息，包括BG 3123R E6327廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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