色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 射頻半導(dǎo)體 > 晶體管射頻 > 射頻MOSFET電源晶體管 > BG 3130 H6327

BG 3130 H6327

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: SOT-363
數(shù)量：: 3600
說(shuō)明：: 射頻MOSFET電源晶體管 RF MOSFETS

一、本商品被瀏覽0次.

BG 3130 H6327 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：BG3130H6327XT BG3130H6327XTSA1 SP000753494
工廠包裝數(shù)量：3000
系列：BG3130
功率耗散：200 mW
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-363
最大工作溫度：+ 150 C
閘/源擊穿電壓：6 V
漏極連續(xù)電流：25 mA
汲極/源極擊穿電壓：12 V
增益：24 dB
頻率：800 MHz
晶體管極性：N-Channel
配置：Dual
RoHS：是
產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：Infineon

以上是BG 3130 H6327的詳細(xì)信息，包括BG 3130 H6327廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管射頻產(chǎn)品：

射頻硅鍺晶體管射頻雙極小信號(hào)晶體管射頻JFET晶體管射頻雙極電源晶體管射頻MOSFET小信號(hào)晶體管

最新產(chǎn)品：

DSPIC33CK256MC502-I/M6

STL90N6F7

MTFC128GAPALPH-AIT