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BD538K

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-220
數(shù)量:
 6273  
說明:
 兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
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BD538K-TO-220圖片

BD538K PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:200
包裝形式:Bulk
最小工作溫度:- 65 C
最大功率耗散:50 W
集電極連續(xù)電流:- 8 A
封裝形式:TO-220
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:15
增益帶寬產品fT:12 MHz
最大直流電集電極電流:8 A
集電極—射極飽和電壓:- 80 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 80 V
集電極—基極電壓 VCBO:- 80 V
晶體管極性:PNP
配置:Single
RoHS:是
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是BD538K的詳細信息,包括BD538K廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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