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BD538KTU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220
數(shù)量：: 6282
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial

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BD538KTU PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：50
包裝形式：Tube
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：50 W
集電極連續(xù)電流：- 8 A
封裝形式：TO-220
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：15
增益帶寬產(chǎn)品fT：12 MHz
最大直流電集電極電流：8 A
集電極—射極飽和電壓：- 80 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：- 5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：- 80 V
集電極—基極電壓 VCBO：- 80 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是BD538KTU的詳細信息，包括BD538KTU廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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