
點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:
FET 型:2 N 溝道(半橋)
FET 特點:標準型
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:132 毫歐 @ 33A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):600V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:40A
Id 時的 Vgs(th)(最大):5V @ 2.5mA
閘電荷(Qg) @ Vgs:330nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :10552pF @ 25V
功率 - 最大:390W
安裝類型:底座安裝
以上是APTM60A11FT1G的詳細信息,包括APTM60A11FT1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!