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中文參數如下:
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:標準型
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:720 毫歐 @ 10A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):1000V (1kV)
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:20A
Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 2.5mA
閘電荷(Qg) @ Vgs:-
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :6000pF @ 25V
功率 - 最大:520W
安裝類型:底座安裝
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