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APTM100A12STG

廠家：: Microsemi Corporation
封裝：: SP3
數量：: 684
說明：: MOSFET PHASE LEG SCHTKY/PAR LP8W

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APTM100A12STG PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型2 N 溝道（半橋）
FET 特點標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C120 毫歐 @ 34A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)1000V (1kV)
Id 時的 Vgs(th)（最大）5V @ 10mA
閘電荷(Qg) @ Vgs616nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C68A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 17400pF @ 25V
功率 - 最大1250W
安裝類型底座安裝

以上是APTM100A12STG的詳細信息，包括APTM100A12STG廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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