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APTM100A13SG

廠家:
  Microchip Technology
封裝:
 
數量:
 2211  
說明:
 PWR MODULE MOSFET 1000V 65A SP6
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APTM100A13SG-圖片

APTM100A13SG PDF參數資料

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中文參數如下:
FET 型2 N 溝道(半橋)
FET 特點標準型
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C156 毫歐 @ 32.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)1000V (1kV)
Id 時的 Vgs(th)(最大)5V @ 6mA
閘電荷(Qg) @ Vgs562nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C65A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 15200pF @ 25V
功率 - 最大1250W
安裝類型底座安裝

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