色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 射頻半導體 > 晶體管射頻 > 射頻MOSFET電源晶體管 > AGR21060EF

AGR21060EF

廠家：: TriQuint Semiconductor
封裝：: 21060EF
數量：: 3357
說明：: 射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor

一、本商品被瀏覽0次.

AGR21060EF PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

產品類型：RF MOSFET Power
功率耗散：175 W
安裝風格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 65 C
封裝形式：21060EF
最大工作溫度：+ 150 C
閘/源擊穿電壓：15 V
汲極/源極擊穿電壓：65 V
輸出功率：13.5 W
增益：14.5 dB
頻率：2.11 GHz to 2.17 GHz
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
產品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：TriQuint

以上是AGR21060EF的詳細信息，包括AGR21060EF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管射頻產品：

射頻硅鍺晶體管射頻雙極小信號晶體管射頻JFET晶體管射頻雙極電源晶體管射頻MOSFET小信號晶體管