色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁(yè) > 電子元件分類(lèi) > 半導(dǎo)體 > 射頻半導(dǎo)體 > 晶體管射頻 > 射頻MOSFET電源晶體管 > AGR21125EF

AGR21125EF

廠家：: TriQuint Semiconductor
封裝：: 21125EF
數(shù)量：: 3375
說(shuō)明：: 射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor

一、本商品被瀏覽0次.

AGR21125EF PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：1063462
產(chǎn)品類(lèi)型：RF MOSFET Power
功率耗散：350 W
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 65 C
封裝形式：21125EF
最大工作溫度：+ 150 C
閘/源擊穿電壓：15 V
汲極/源極擊穿電壓：65 V
輸出功率：28 W
增益：14 dB
頻率：2.11 GHz to 2.17 GHz
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：TriQuint

以上是AGR21125EF的詳細(xì)信息，包括AGR21125EF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管射頻產(chǎn)品：

射頻硅鍺晶體管射頻雙極小信號(hào)晶體管射頻JFET晶體管射頻雙極電源晶體管射頻MOSFET小信號(hào)晶體管

最新產(chǎn)品：

TC327LP16F160SAAKXUMA1

YJB200G06B

TC58CVG1S3HRAIJ