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AGR18060EF

廠家:
  TriQuint Semiconductor
封裝:
 8060EF
數量:
 3249  
說明:
 射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS Transistor
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AGR18060EF PDF參數資料

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中文參數如下:

產品類型:RF MOSFET Power
功率耗散:175 W
安裝風格:SMD/SMT
最小工作溫度:- 65 C
封裝形式:8060EF
最大工作溫度:+ 150 C
閘/源擊穿電壓:15 V
漏極連續電流:6.2 A
汲極/源極擊穿電壓:65 V
輸出功率:60 W
增益:14 dB
頻率:1.8 GHz to 1.88 GHz
晶體管極性:N-Channel
配置:Single
RoHS:是
產品種類:射頻MOSFET電源晶體管
制造商:TriQuint

以上是AGR18060EF的詳細信息,包括AGR18060EF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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