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2N3503

廠家：: Central Semiconductor
封裝：: TO-39
數(shù)量：: 5013
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur SS

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2N3503 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：500
包裝形式：Box
直流電流增益 hFE 最大值：300
封裝形式：TO-39
安裝風格：Through Hole
直流集電極/Base Gain hfe Min：100
增益帶寬產(chǎn)品fT：200 MHz
集電極—射極飽和電壓：60 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：60 V
集電極—基極電壓 VCBO：60 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：過渡期間
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Central Semiconductor

以上是2N3503的詳細信息，包括2N3503廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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