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中文參數如下：
工廠包裝數量：30
包裝形式：Sleeve
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：35 W
集電極連續電流：1 A
封裝形式：TO-66
安裝風格：Stud
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：40
增益帶寬產品fT：10 MHz
最大直流電集電極電流：1 A
集電極—射極飽和電壓：175 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：6 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：175 V
集電極—基極電壓 VCBO：250 V
晶體管極性：NPN
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Central Semiconductor
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