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1N5551US

廠家:
  Microchip Technology
封裝:
 
數量:
 3435  
說明:
 DIODE GEN PURP 400V 3A D-5B
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1N5551US PDF參數資料

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中文參數如下:
封裝工作溫度 - 結封裝:D-5B
封裝/外殼:SQ-MELF,E
安裝類型:表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容:-
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:1 μA @ 400 V
反向恢復時間 (trr):2 μs
速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io)
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.2 V @ 9 A
電流 - 平均整流 (Io):3A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V
技術:標準
產品狀態:在售
包裝:-
系列:散裝
品牌:Microchip Technology

以上是1N5551US的詳細信息,包括1N5551US廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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