| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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NE25139-T1 | CEL | SOT-143 | MOSFET SOT-143 DL GT MESFET | ||
| 參數(shù)：CEL|卷帶（TR）,剪切帶（CT）|-|停產(chǎn)|MOSFET|Dual Gate|900MHz|20dB|5 V|40mA|1.1dB|10 mA|-|13 V... | ||||||
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NE25139-T1-U72 | NEC/CEL | MOSFET REORD 551-NE25139 SOT-143 DL GT MOSFET | |||
| 參數(shù)：制造商：NEC，RoHS：否，包裝形式：Reel，工廠包裝數(shù)量：3000，... | ||||||
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NE25339-T1 | CEL | MOSFET DISC BY CEL 7/01 SOT-143 DL GT MESFET | |||
| 參數(shù)：制造商：CEL，RoHS：否，包裝形式：Reel，工廠包裝數(shù)量：3000，... | ||||||
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NCY9100DWR2G | ON Semiconductor | MOSFET COMPANDOR | |||
| 參數(shù)：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，包裝形式：Reel，工廠包裝數(shù)量：1000，... | ||||||
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NE334S01-T1-A | NEC/CEL | SO-1 | MOSFET Low Noise HJ FET | ||
| 參數(shù)：制造商：NEC，RoHS：是，汲極/源極擊穿電壓：4 V，閘/源擊穿電壓：- 3 V，漏極連續(xù)電流：15 mA，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：SO-1，包... | ||||||
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NE34018 | NEC/CEL | SOT-343 | MOSFET L-S Band Lo No Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：NEC，RoHS：否，汲極/源極擊穿電壓：4 V，閘/源擊穿電壓：- 3 V，漏極連續(xù)電流：80 mA，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：SOT-34... | ||||||
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NE34018-64 | NEC/CEL | SOT-343 | MOSFET L-S Band Lo No Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：NEC，RoHS：否，汲極/源極擊穿電壓：4 V，閘/源擊穿電壓：- 3 V，漏極連續(xù)電流：80 mA，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：SOT-34... | ||||||
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NE334S01-A | NEC/CEL | SO-1 | MOSFET Low Noise HJ FET | ||
| 參數(shù)：制造商：NEC，RoHS：是，汲極/源極擊穿電壓：4 V，閘/源擊穿電壓：- 3 V，漏極連續(xù)電流：15 mA，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：SO-1，正... | ||||||
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NE3210S01-T1B-A | NEC/CEL | SO-1 | MOSFET Super Lo Noise HJFET | ||
| 參數(shù)：制造商：NEC，RoHS：是，汲極/源極擊穿電壓：4 V，閘/源擊穿電壓：- 3 V，漏極連續(xù)電流：10 mA，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：SO-1，包... | ||||||
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NE38018 | CEL | SOT-343 | MOSFET L-S Band Lo No Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：CEL，RoHS：否，汲極/源極擊穿電壓：4 V，閘/源擊穿電壓：- 3 V，漏極連續(xù)電流：5 mA，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：SOT-343... | ||||||
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NE429M01-T1 | NEC/CEL | Mini-6 | MOSFET Super Lo Noise HJFET | ||
| 參數(shù)：制造商：NEC，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：2 V，閘/源擊穿電壓：- 3 V，漏極連續(xù)電流：10 mA，安裝風格：SMD... | ||||||
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NE434S01-T1B | NEC/CEL | SO-1 | MOSFET S01 LO NO HJ FET S01 LO NO HJ FET | ||
| 參數(shù)：制造商：NEC，RoHS：是，汲極/源極擊穿電壓：4 V，閘/源擊穿電壓：- 3 V，漏極連續(xù)電流：80 mA，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：SO-1，包... | ||||||
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NE4210S01-T1B-A | NEC/CEL | SO-1 | MOSFET Super Lo Noise HJFET | ||
| 參數(shù)：制造商：NEC，RoHS：是，汲極/源極擊穿電壓：4 V，閘/源擊穿電壓：- 3 V，漏極連續(xù)電流：10 mA，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：SO-1，包... | ||||||
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NE42484A | NEC/CEL | SO-1 | MOSFET REORD 551-NE334S01 | ||
| 參數(shù)：制造商：NEC，RoHS：否，漏極連續(xù)電流：40 mA，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：SO-1，工廠包裝數(shù)量：50，... | ||||||
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NE34018-T1 | NEC/CEL | SOT-343 | MOSFET L-S Band Lo No Amp | ||
| 參數(shù)：CEL|卷帶（TR）|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|2GHz|16dB|2 V|120mA|0.6dB|5 mA|12dBm|4 V|表面貼裝型|SC-... | ||||||
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NE34018-T1-64 | NEC/CEL | SOT-343 | MOSFET L-S Band Lo No Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：NEC，RoHS：否，汲極/源極擊穿電壓：4 V，閘/源擊穿電壓：- 3 V，漏極連續(xù)電流：80 mA，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：SOT-34... | ||||||
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NE71383B | CEL | MOSFET KU-K BAND MESFET | |||
| 參數(shù)：制造商：CEL，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：5 V，閘/源擊穿電壓：- 5 V，漏極連續(xù)電流：30 mA，功率耗散：270... | ||||||
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NCP81161MNTBG | ON Semiconductor | 8-DFN（2x2） | 32 | MOSFET VR12.5 MOSFET DRIVER | |
| 參數(shù)：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，安裝風格：SMD/SMT，封裝形式：DFN-8，包裝形式：Reel，... | ||||||
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NCV8450STT3G | ON Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET SELF PROTECTED HIGH SIDE | ||
| 參數(shù)：制造商：ON Semiconductor，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：45 V，漏極連續(xù)電流：80... | ||||||
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NE25118-T1 | CEL | MOSFET DISC BY CEL 10/00 SOT-343 DL GT MESFET | |||
| 參數(shù)：制造商：CEL，RoHS：否，包裝形式：Reel，工廠包裝數(shù)量：3000，... | ||||||
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