| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SUD50P06-15-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET 60V 50A 113W 15mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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SUD50P06-15L | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 60V 50A 136W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD50P06-15L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET P-CH 60V 50A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD50P06-15L-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3 | MOSFET 60V 50A 136W 15mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SUD50P08-25L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | 404 | MOSFET 80V 50A 136W 25.2mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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SUD50P08-26-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET 80V 50A 136W 26mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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SUD50P10-43-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET 100V 38A 136W 43mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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SUD50P10-43L-E3 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | 1,844 | MOSFET 100V 37A 136W 43mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SUD54P04-23-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET 40V 23mohm @ 10V | |||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，包裝形式：Reel，工廠包裝數(shù)量：2000，... | ||||||
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STUSB03EQR | STMicroelectronics | 16-QFN（3x3） | 2,623 | MOSFET USB Transceiver | |
| 參數(shù)：STMicroelectronics|卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶|-|在售|收發(fā)器|USB 2.0|1月1日|半|100 m... | ||||||
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STV160NF02LAT4 | STMicroelectronics | 10-PowerSO | MOSFET N-Ch 20 Volt 160 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓... | ||||||
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STV160NF02LT4 | STMicroelectronics | 10-PowerSO | MOSFET N-Ch 20 Volt 160 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓... | ||||||
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STV160NF03LAT4 | STMicroelectronics | 10-PowerSO | MOSFET N-Ch 30 Volt 160 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓... | ||||||
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STV160NF03LT4 | STMicroelectronics | PowerSO-10 裸露底部焊盤(pán) | 87 | MOSFET N-Ch 30 Volt 160 Amp | |
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓... | ||||||
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STV200N55F3 | STMicroelectronics | 10-PowerSO | MOSFET N-channel 55 V | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓... | ||||||
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STV240N75F3 | STMicroelectronics | 10-PowerSO | MOSFET N-channel 75 V | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：75 V，閘/源擊穿電壓... | ||||||
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STV250N55F3 | STMicroelectronics | 10-PowerSO | MOSFET N-channel 55 V | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓... | ||||||
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STV270N4F3 | STMicroelectronics | 10-PowerSO | MOSFET N-channel 40 V | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓... | ||||||
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STV300NH02L | STMicroelectronics | 10-PowerSO | MOSFET N Ch 24V 0.8m 280A Pwr MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：24 V，閘/源擊穿電壓... | ||||||
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STU150N3LLH6 | STMicroelectronics | TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA | 2,777 | MOSFET N-CH 30V STripFET 80A DEEPGATE | |
| 參數(shù)：制造商：STMicroelectronics，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓... | ||||||
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