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中文參數(shù)如下：
典型關(guān)閉延遲時間：110 ns
上升時間：150 ns
功率耗散：300 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：50 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerSO-10
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single Quad Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：1.8 Ohms
漏極連續(xù)電流：200 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：55 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics
以上是STV200N55F3的詳細信息，包括STV200N55F3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!
