| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
FZ1000R33HL3 | Infineon Technologies | IHVB130 | IGBT 模塊 N-CH 3.3KV 1KA | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：3300 V，在25 C的連續(xù)集電極... | ||||||
|
|
FZ1200R12HE4 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：否，... | ||||||
|
|
FZ1200R12HP4 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1200V 1200A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：否，... | ||||||
|
|
FZ1200R12KF4 | Infineon Technologies | IHM130 | 1 | IGBT 模塊 1200V 1200A SINGLE | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCE... | ||||||
|
|
FZ1200R12KF5 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1200V 1200A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
FZ1200R12KL4C | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模塊 1200V 1200A SINGLE | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual Common Emitter ... | ||||||
|
|
FZ1200R16KF4 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模塊 1600V 1200A SINGLE | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCE... | ||||||
|
|
FZ1200R16KF4S1 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模塊 1600V 1200A SINGLE | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual Common Emitter Common ... | ||||||
|
|
FZ1200R17HE4 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1700V 1200A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：否，... | ||||||
|
|
FZ1200R17HP4 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1700V 1200A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：否，... | ||||||
|
|
FZ1200R17HP4_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1700V 1200A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
FZ1200R17KE3 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.8KA | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1700 V，在25 C的連續(xù)集電極... | ||||||
|
|
FZ1200R17KE3_B2 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.9KA | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1700 V，在25 C的連續(xù)集電極... | ||||||
|
|
FZ1200R17KF4 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.2KA | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual Common Emitter Common Gate，集電極—發(fā)射極最... | ||||||
|
|
FZ1200R17KF4C | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1700V 1200A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
FZ1200R17KF6_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1700V 1200A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
FZ1200R17KF6C_B2 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.95KA | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual Common Emitter Common Gate，集... | ||||||
|
|
FZ1200R17KF6C-B2 | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模塊 1700V 1200A SINGLE | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual Common Emitter ... | ||||||
|
|
FZ1200R33KF2 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模塊 U 641-FZ1200R33KF2C | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Triple Common Emitter Common Gate... | ||||||
|
|
FZ2400R12KE3_B9 | Infineon Technologies | IHM190 | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 3.2KA | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Triple，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續(xù)集... | ||||||
40/87 首頁 上頁 [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] 下頁 尾頁
