色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > IGBT 模塊 > FZ1200R12KL4C

FZ1200R12KL4C

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: IHM130
數(shù)量：: 504
說明：: IGBT 模塊 1200V 1200A SINGLE

一、本商品被瀏覽0次.

FZ1200R12KL4C PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：8
安裝風格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 40 C
柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V
封裝形式：IHM130
最大工作溫度：+ 125 C
功率耗散：7.8 KW
柵極—射極漏泄電流：400 nA
在25 C的連續(xù)集電極電流：1900 A
集電極—射極飽和電壓：2.1 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V
配置：Dual Common Emitter Common Gate
產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules
RoHS：否
產(chǎn)品種類：IGBT 模塊
制造商：Infineon

以上是FZ1200R12KL4C的詳細信息，包括FZ1200R12KL4C廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

最新產(chǎn)品：