| 圖片 |
型號 |
品牌 |
封裝 |
數量 |
描述 |
PDF資料 |
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PTFB211503EL V1 R250 |
Infineon Technologies |
H-33288-6 |
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射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續電流：1.2 A，閘/源擊穿電壓：10... |
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PTFB211503FL V1 |
Infineon Technologies |
H-34288-2 |
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射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續電流：1.2 A，閘/源擊穿電壓：10... |
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PTFB211503FL V1 R250 |
Infineon Technologies |
H-34288-2 |
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射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續電流：1.2 A，閘/源擊穿電壓：10... |
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PTFB211503FL V2 |
Infineon Technologies |
H-34288-4/2 |
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射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS FETs 150W 2110-2170 MHz |
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| 參數：制造商：Infineon，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，頻率：2.17 GHz，增益：18 dB，輸出功率：32 W，汲極/源極擊穿電壓：... |
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PTFB211503FL V2 R250 |
Infineon Technologies |
H-34288-4/2 |
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射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS FETs 150W 2110-2170 MHz |
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| 參數：制造商：Infineon，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，頻率：2.17 GHz，增益：18 dB，輸出功率：32 W，汲極/源極擊穿電壓：... |
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PTFB211803EL V1 |
Infineon Technologies |
H-33288-6 |
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射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續電流：1.3 A，閘/源擊穿電壓：10... |
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PTFB211803EL V1 R250 |
Infineon Technologies |
H-33288-6 |
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射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續電流：1.3 A，閘/源擊穿電壓：10... |
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PTFB211803FL V1 |
Infineon Technologies |
H-34288-2 |
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射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續電流：1.3 A，閘/源擊穿電壓：10... |
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PTFB211803FL V1 R250 |
Infineon Technologies |
H-34288-2 |
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射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續電流：1.3 A，閘/源擊穿電壓：10... |
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PTFB211803FL V2 |
Infineon Technologies |
H-34288-4/2 |
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射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS FETs 180W 2110-2170 MHz |
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| 參數：制造商：Infineon，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，頻率：2.17 GHz，增益：17.5 dB，輸出功率：40 W，汲極/源極擊穿電... |
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PTFB211803FL V2 R250 |
Infineon Technologies |
H-34288-4/2 |
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射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS FETs 180W 2110-2170 MHz |
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| 參數：制造商：Infineon，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，頻率：2.17 GHz，增益：17.5 dB，輸出功率：40 W，汲極/源極擊穿電... |
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PTFB212503EL V1 |
Infineon Technologies |
H-33288-6 |
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射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續電流：1.85 A，閘/源擊穿電壓：1... |
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PTFB212503EL V1 R250 |
Infineon Technologies |
H-33288-6 |
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射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS FETs 240W 2110-2170 MHz |
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| 參數：制造商：Infineon，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，頻率：2.17 GHz，增益：18 dB，輸出功率：55 W，汲極/源極擊穿電壓：... |
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PTFB212503EL V2 |
Infineon Technologies |
H-33288-6 |
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射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續電流：1.85 A，閘/源擊穿電壓：1... |
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PTFB212503FL V1 |
Infineon Technologies |
H-34288-2 |
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射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續電流：1.85 A，閘/源擊穿電壓：1... |
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PTFB212503FL V1 R250 |
Infineon Technologies |
H-34288-4/2 |
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射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS FETs 240W 2110-2170 MHz |
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| 參數：制造商：Infineon，RoHS：否，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，頻率：2.17 GHz，增益：18 dB，輸出功率：55 W，汲極/... |
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PTFB212503FL V2 |
Infineon Technologies |
H-34288-2 |
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射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續電流：1.85 A，閘/源擊穿電壓：1... |
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PTFB212503FL V2 R250 |
Infineon Technologies |
H-34288-4/2 |
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射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS FETs 240W 2110-2170 MHz |
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| 參數：制造商：Infineon，配置：Single，晶體管極性：N-Channel，頻率：2.17 GHz，增益：18 dB，輸出功率：55 W，汲極/源極擊穿電壓：... |
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PTFB213004F V1 |
Infineon Technologies |
H-37275-6 |
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射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9 |
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| 參數：制造商：Infineon，產品種類：射頻MOSFET電源晶體管，配置：Single，汲極/源極擊穿電壓：65 V，漏極連續電流：2.4 A，閘/源擊穿電壓：10... |
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PTFB213004F V1 R250 |
Infineon Technologies |
H-37275-6/2 |
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射頻MOSFET電源晶體管 Hi-Power RF LDMOS 300W 2110-2170MHz |
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| 參數：制造商：Infineon，RoHS：否，配置：Dual，晶體管極性：N-Channel，頻率：2.17 GHz，增益：18 dB，輸出功率：60 W，汲極/源極... |
