Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計(jì)算機(jī)、手機(jī)和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源，也可用計(jì)算機(jī)磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器和汽車(chē)系統(tǒng)中的運(yùn)動(dòng)控制。 Vishay/Siliconix模擬開(kāi)關(guān)IC用于對(duì)儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號(hào)進(jìn)行感應(yīng)、開(kāi)關(guān)和路徑設(shè)定。 |
| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SI3872DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30/-20V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V, 20 V，漏極連續(xù)電流：... | ||||||
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SI3872DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30/-20V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V, 20 V，漏極連續(xù)電流：... | ||||||
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SI3879DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 5.0A 3.3W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI3879DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 5.0A 3.3W 70mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI3900DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 20V 2.4A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI3900DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 2.4A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI3900DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 2.4A 1.15W 125mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI3905DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 8V 2.5A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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SI3905DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 8V 2.5A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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SI3905DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 8.0V 2.5A 1.15W 125mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：8 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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SI3909DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 20V 1.8A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI3909DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 1.8A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI3909DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 1.8A 1.15W 200mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI3911DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 20V 2.2A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI3911DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 2.2A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI3911DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 20V 2.2A 1.15W 145mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI3915DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 12V 2.5A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏... | ||||||
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SI3915DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 12V 2.5A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏... | ||||||
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SI3932DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 30V 3.7A DUAL N-CH MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，漏極連續(xù)電流：3.7 A，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.... | ||||||
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SI3948DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 30V 2.5A DUAL N-CH TRENCH | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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