色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > SI3909DV-T1-E3

SI3909DV-T1-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 6-TSOP
數(shù)量：: 3879
說明：: MOSFET 20V 1.8A

一、本商品被瀏覽0次.

SI3909DV-T1-E3 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI3909DV-E3
典型關(guān)閉延遲時間：19 ns
商標名：TrenchFET
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：34 ns
功率耗散：1.15 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：34 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSOP-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.2 Ohms
漏極連續(xù)電流：1.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI3909DV-T1-E3的詳細信息，包括SI3909DV-T1-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：