Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統(tǒng)中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業(yè)產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SI3853DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 20V 1.8A 1.15W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI3853DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | MOSFET 20V 1.8A 1.15W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI3853DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 1.8A 1.15W 200mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI3803DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET TSOP-6 8V 3A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.14 Ohms，配置：Q... | ||||||
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SI3805DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 3.3A 1.4W 84mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI3805DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | MOSFET 20V 3.3A 1.4W 84mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI3812DV-T1 | Vishay/Siliconix | TSOP-6 | MOSFET 20V 2.4A 1.15 | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI3812DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | MOSFET 20V 2.4A 1.15 | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI3812DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 2.4A 1.15W 125mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 12 V，漏極... | ||||||
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SI3481DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | MOSFET 30V 5.3A 0.048Ohm | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3481DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 30V 5.3A 2.0W 48mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3483CDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | 8,928 | MOSFET 30V 8.0A 4.2W 34mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3483CDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | 111,714 | MOSFET 30V 8.0A 4.2W 34mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3483DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 30V 6.2A 2.0W 35mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI3493BDV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | 7,899 | MOSFET 20V 8.0A 2.97W 27.5mohm @ 4.5V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI3493BDV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | MOSFET 20V 8.0A 2.97W 27.5mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI3493DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 7.0A 2.0W 27mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI3493DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 7.0A 2.0W 27mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI3495DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 | MOSFET 20V 7.0A 2.0W 24mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 5 V，漏極連... | ||||||
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SI3495DV-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 6-TSOP | MOSFET 20V 7.0A 2.0W 24mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 5 V，漏極連... | ||||||
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