Vishay/Siliconix
|
Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI4884DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 12A 2.95W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI4886DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 13A 2.95W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI4886DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 13A 2.95W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：13 A，電阻... | ||||||
|
|
SI4886DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 13A 2.95W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：13 A，電阻... | ||||||
|
SI4886DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 30V 13A 2.95W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI4886DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 30V 13A 2.95W 10mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI4888DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 16A 3.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：16 A，電阻... | ||||||
|
|
SI4888DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 16A 3.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
SI4888DY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 16A 3.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI4888DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 16A 3.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI4888DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 30V 16A 3.5W 7.0mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
|
|
SI4890BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 30V 16A 5.7W 12mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 V，漏極... | ||||||
|
SI4890BDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 16A 5.7W 12mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 V，漏極... | ||||||
|
|
SI4890DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 11A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 V，漏極... | ||||||
|
|
SI4890DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 11A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 V，漏極連續電流：11 A，電阻... | ||||||
|
|
SI4890DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 11A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 V，漏極連續電流：11 A，電阻... | ||||||
|
SI4890DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 11A 2.5W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 V，漏極... | ||||||
|
|
SI4890DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | MOSFET 30V 11A 2.5W 12mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 V，漏極... | ||||||
|
|
SI4892DY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 12.4A 3.1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：8.8 A，電... | ||||||
|
|
SI4892DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 12.4A 3.1W | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：8.8 A，電... | ||||||
44/219 首頁 上頁 [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] 下頁 尾頁
